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1、項目需求

沉積出可應用于柔性深紫外光探測器的非晶氧化鎵（amorphous gallium oxide, α-Ga2O3）薄膜。該薄膜采用不同襯底溫度下的高速空間式原子層沉積（spatial atomic layer deposition, SALD）法進行沉積。結果表明，在襯底溫度為145至155度范圍下所得到的飽和沉積速率是傳統時間式原子層沉積（Temporal ALD）的4至16倍。因此，相比非飽和SALD條件下的結果，基于飽和SALD條件下所沉積的薄膜具有更少的碳雜質、氧相關缺陷和更大的致密性。

2、項目目標

可成功制備出一種具有快速衰減時間為161微秒以及低暗電流密度為6.8×10-10 A1cm-2的高性能柔性深紫外α-Ga2O3光電探測器。