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技術公關難題：

      （1）碳化硅DMOS溝道電子等效遷移率低帶來的大電阻問題解決方案，采用ACCUFET的結構設計的具體方案。特點是用p 隱埋層在柵氧化層下的n-表面產生一極薄的耗盡區，隱埋的深度和n-區雜質濃度的配比及其他問題。（2）碳化硅摻雜工藝的實現，離子注入和材料制備過程中的伴隨摻雜實現的具體方案。（3）GaN常關型器件，P型GaN門極的具體解決方案。（4）GaN器件耐壓超過450V后產生的電流崩塌效應解決方案（電子停留在內部使得電流下降）。

      備注：并稱為第三代半導體材料雙雄的氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)相對于硅材料有很多優點：有10倍的電場強度，高3倍的熱導率，寬3倍禁帶寬度，高一倍的飽和漂移速度。這些優點使得氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)器件高溫、高頻工作特性好及更加小型化。SiC/GaN  MOSFET是在2010之后開始商用，目前被國外著名半導體商壟斷，主要產家有美國科瑞、德國英飛凌、日本羅姆等世界知名半導體公司。目前SIC/GaN功率器件市場約1億美元左右，而硅基材料的功率器件市場高達100億美元，未來成長空間巨大。