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公司砷化鎵集成電路工藝精度達到國際一流水平，具條化合物半導體穩定量產能力，良率超過98%，填補國內砷化鎵射頻芯片產業的制造能力空白。HBT工藝應用于4G/5G手機 & WiFi(802.11 ac/ax)功率放大器；pHEMT工藝應用于基站及衛星通信等高頻高功率放大、低噪聲及開關等器件，擁有發明專利授權42項。隨著5G信息技術的發展，工藝應用市場廣泛，有力推動芯片“國產化”進程。