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高純濺射靶材主要指純度在4N-6N的金屬或非金屬靶材，應用于電子元器件制造的物理氣象沉積（PVD）工藝，是制備晶圓、面板、太陽能電池等表面電子薄膜的關鍵材料。根據應用領域的不同，靶材的材料、形狀也會有所差異。半導體芯片對濺射靶材的金屬材料純度、內部微觀結構等方面都設定了極其苛刻的標準，濺射靶材若雜質含量過高，形成的薄膜就無法達到使用要求的電性能，并且在濺射過程中易在晶圓上形成微粒，導致電路短路或損壞，將嚴重影響薄膜的性能。優質的靶材綁定要求非?？量?。綁定須選擇低熱阻材料，以便可以在靶材使用時施加盡可能高的功率，而不會導致靶材過熱和開裂；綁定后的空隙率也必須最少，以避免靶材開裂的可能性和產生不均勻沉積現象；綁定必須具有足夠的強度以防止在操作過程中靶材脫綁，但又必須足夠柔韌，以最大限度地減少綁定過程中殘余應力的形成。后者的應力可能會造成靶材的破裂。最后靶材綁定是可以輕松地分離靶材及背板，以便可以重復使用背板。

合作實施　

1、有高純金銀銅原料及高純濺射靶材加工設備，用于靶材質量改進試驗；

2、可聯系使用濺射靶材設備，用于靶材濺射效果驗證；

3、有GDMS、硬度計、金相分析儀及超聲波探傷儀，用于靶材檢驗；

4、可提供經費30萬元。