項目主要研發內容為高端多層柔性電路板關鍵技術工藝開發，擬解決關鍵技術問題如下：
1、卷對卷精密蝕薄銅技術：采用新型RTR濕法工藝技術對常規銅箔進行減薄。主要目標為將常規銅箔（36 um）蝕薄為卷對卷所需厚度（≤24 um），均勻性大于95%；
2、多層板卷對卷鐳射鉆孔：采用國際先進的美國 ESI 鐳射鉆孔機搭配卷對卷對收放板機實現銅箔卷對卷鐳射鉆孔，取代傳統的 CNC 片式鉆孔，可實現多層板內層最小通孔直徑鉆孔加工能力由 0.15 mm 提升到 50 μm，本項目擬開展通過優化鐳射鉆孔設備功能及優化鐳射工藝參數，擬突破鐳射鉆孔制程能力，預期實現多層板內層最小通孔孔徑 40 μm、最小盲孔孔徑 50 μm；
3、卷對卷等離子處理技術：通過調控等離子能量和時間，精準實現等離子對鉆孔后殘留物的處置。主要開發適合處理鐳射鉆孔、黑膜和電鍍等工藝過程殘留的有機物、清潔孔壁和做干膜處理的等離子處理工藝；
4、卷對卷精密鍍銅填孔技術：項目擬開展通過選擇優良鍍銅藥水及優化鍍銅工藝參數，預期實現最小通孔 40 μm 鍍銅，孔銅 ≥8 μm。盲孔鍍銅時，采用填孔鍍銅工藝，采用專用的填孔鍍銅藥水，填孔鍍銅工藝可以提高電路板層間的導通性能，改善產品的導熱性，減少孔內孔洞，降低傳輸信號的損失，這將有效的提高電子產品的可靠性和穩定性。項目擬開展通過導入優化填孔鍍銅線、選擇優良鍍銅藥水及優化鍍銅工藝參數，預期實現最小盲孔 50 μm 鍍銅，盲孔全填，dimple ≤ 15 μm。實現35/35 um 精細線路的圖形轉移，實現在基板的雙面整體蝕刻均勻，蝕刻均勻性≧90%、線路線寬公差±15 μm制作能力的需求。
5、卷對卷鐳射優化技術：分解影響多層板的關鍵材料為銅箔、絕緣層（高分子膠膜）和銅箔為一個研究單元，開展包括微觀形貌、熱性能、3D顯微和元素分析等材料基礎性能研究，優選適合卷對卷生產的關鍵材料銅箔與膠膜組合，確定了兩種主要尺寸盲孔和通孔的激光鐳射工藝參數，完成項目既定的目標鐳射孔孔壁的突出和內陷控制在 15 μm 以下。
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