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陳晨龍

領域:新材料

職稱級別:研究員,高級

1999年本科畢業于哈爾濱理工大學,2005年3月博士畢業于中科院半導體所并留所從事科研工作。2006-2015在臺灣中山大學從事晶體生長和寬能隙半導體材料生長及性能研究工作。2015-今在中科院福建物質結構研究所開展首創性大尺寸納米多孔GaN單晶晶體和大面積3D單晶交聯納米結構等新穎寬能隙半導體晶體納米結構材料研究。

研究領域:

1)多孔GaN單晶晶體之生長、性能及應用開發

2)氧化物晶體材料之氮化轉化研究

3)3D單晶交聯GaN&ZnO納米結構之制備、性能及應用開發

4)新穎寬能隙半導體材料的晶體生長與性能研究

5)非極性GaN晶體、薄膜和納米材料生長及其光電性能研究


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