由日本京都大學、筑波大學、東海大學和產業技術綜合研究所組成的研發小組發現，用高強度太赫茲脈沖照射相變材料GeSbTe化合物（GST）后，該材料會以納米尺寸從非晶狀態生長出晶體。GST可用于目前使用的記錄型DVD和新一代非易失性固體存儲器，是一種備受期待的相變存儲器記錄材料。
該研究利用世界最高強度的太赫茲脈沖生成技術，成功向GST照射了高電場皮秒脈沖，晶體部分尖端的焦耳熱促進晶體逐漸生長，由此可以引起各向異性晶體沿著電場方向生長。
該成果明確了在存儲器的開關動作中瞬間發生的高電場效應，另外還顯示出引起納米尺寸極小結構變化的可能性，今后有助于實現相變存儲器的小型化和高效率化。
