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采用單晶外延技術，實現了晶圓級氧化鎵（β-Ga2O3）異質外延生長，為制備高性能β-Ga2O3光電器件和功率器件提供了外延片材料。通過采用Sn作為摻雜元素，實現對（100）β-Ga2O3外延層的摻雜濃度和遷移率的調控，Sn摻雜的濃度（5×1016 cm-3至5×1019 cm-3）窗口可調以及載流子遷移率從0.26 cm2/Vs提升至16.2 cm2/Vs，外延層質量處于國內領先水平。

產業化進展情況：

產業化推廣階段?；谘趸壨庋由L技術已有專利申請，有望實現專利轉化。專利名稱：采用MBE刻蝕后外延的常關型氧化鎵基器件及制備方法[P].中國,發明專利, CN116864529A. （已公開）

應用前景：

隨著5G通信、人工智能、新能源等領域的快速發展，氧化鎵外延技術將為光電探測器、電力電子等器件提供高性能、高可靠性的材料基礎。同質外延和異質外延技術的結合將推動光電子器件性能的提升和功能的拓展，滿足不同應用場景的需求。因此，氧化鎵外延技術將成為光電子產業發展的重要引擎，為構建智能、高效的光電子系統提供強有力支持。