光刻膠在光刻工藝中用作抗腐蝕涂層材料，是光刻工藝中最關鍵的材料，其生產技術復雜、品質要求嚴格。目前，國內光刻膠市場主要由日本JSR、信越化學、東京應化等公司所壟斷，中國大陸與世界領先水平差距較大，導致半導體級高端產品國產化率不足1%，難以滿足國內企業的用膠需求。半導體級光刻膠的核心是超高純光刻膠樹脂固體單體，但其含有羥基、羧基等金屬離子強螯合基團，存在高價金屬（如Fe、Cr等）難以深度脫除至20 ppb以下的難題，導致我國固體單體的研究和產業化還處于空白狀態，國內的專利布局缺失，技術被日韓及歐美企業壟斷。因此，亟需開展固體單體純化去除金屬雜質技術的研究，打破國外相關大型公司對半導體級光刻膠樹脂固體單體生產技術的封鎖。
本項目開發了多種脫除痕量金屬離子的吸附劑，實現了不同價態金屬離子的痕量脫除（所有金屬離子含量均＜20 ppb）；提出了“溶解-吸附-結晶-過濾-干燥組合工藝”提純含有羥基基團固體單體（如三(2-羥乙基)異氰尿酸酯）的新方法，解決了痕量金屬離子受制于化學平衡難以吸附-重結晶脫除的難題，突破了光刻膠樹脂固體單體提純的卡脖子難題，為實現高端光刻膠樹脂國產化奠定堅實基礎。
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