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關于電容器用耐高溫的材料（≥125ºC，甚至到140ºC～150ºC，膜厚2μm～8μm，場強≥400VDC/μm，膜厚一致性好），主要是滿足SiC運用的發展，目前國內也是空白，這些將會制約電子元器件上下游行業的發展影響全球競爭力。

雙方協商而定，知識產權按雙方協議簽訂　目前基于進口材料進行研發，解決期限：至2025年，合作雙方可協商而定。