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基于氧化鎵的高性能平面型肖特基結勢壘二極管（SBDs），導通電壓<1 V，導通電阻約10 mΩ·cm2，擊穿電壓高達890 V，泄漏電流約0.1 μA/cm2，處于國際先進水平。此外，我們也掌握β-Ga2O3低損傷刻蝕、高質量介質層沉積等關鍵技術，研制了5 A/600 V、2 A/1200 V級別的溝槽型氧化鎵 SBD，有望實現商業化量產。

應用前景：

相比于碳化硅和氮化鎵材料相同耐壓情況下，氧化鎵導通電阻更低、功耗更小，能夠極大地節約上述高壓器件工作時的電能損失，而氧化鎵SBD可廣泛應用于光伏儲能、工業和電源等電力電子場景，促進系統高效化和小型化。課題組研制的氧化鎵SBD具有高電流密度，高耐壓，低泄漏的優點，具有良好的商業化量產及應用前景。

專利名：一種具有 AlN勢壘層的氧化鎵肖特基二極管及制備方法；中國專利申請號：202311264299.7。